亚洲国产私拍精品国模在线观看,丝袜美腿一区二区三区,国产最爽乱淫视频国语对白,国产中文一区二区,国产精品第69页 http://www.whjsdny.com Fri, 02 Feb 2024 02:52:20 +0000 en hourly 1 http://wordpress.org/?v=3.1 衰減死區(qū)與事件死區(qū)詳解 – 綜合福祿克OFP-100-Q測(cè)試儀 http://www.whjsdny.com/archives/adz-edz.html http://www.whjsdny.com/archives/adz-edz.html#comments Tue, 07 Jul 2015 03:50:43 +0000 深圳連訊 http://www.whjsdny.com/?p=6390 在高密度環(huán)境下測(cè)試多模光纖布線需要能夠測(cè)試超近距離連接器的專用 OTDR。福祿克OptiFiber PRO可以針對(duì)短鏈路進(jìn)行測(cè)試。單模為OFP-100-S,多模為OFP-100-M ,單多模為OFP-100-Q通常,這種連接器有高插入損耗和高反射。因此,除了有最高空間分辨率的 OTDR 之外,難以在所有測(cè)試中均使用 OTDR。這種類型的 OTDR 的核心是兩個(gè)組件,一個(gè)脈沖激光器和雪崩光電二極管 (APD)。電子元件的設(shè)計(jì),更重要的是,選擇的 APD 的類型,決定了死區(qū)的性能。所有 OTDR 供應(yīng)商均提供死區(qū)技術(shù)指標(biāo)。但是,檢查死區(qū)時(shí)有幾個(gè)需要考慮的事項(xiàng)。首先,必須考慮死區(qū)是在什么條件下確定的技術(shù)指標(biāo)。其次,死區(qū)如何隨反射的提高而變化很重要 – 這是供應(yīng)商不會(huì)提供的技術(shù)指標(biāo)。第三,實(shí)際光纖網(wǎng)絡(luò)中可以預(yù)期的死區(qū)性能。
死區(qū)技術(shù)指標(biāo)
如圖 1 所示,衰減死區(qū) (ADZ) 定義為(通常為單個(gè)“良好”連接器反射事件)脈沖上升沿到直接擬合到反向散射的 0.5 dB 偏差之間的距離。反向散射水平是曲線上提供光纖衰減值的斜線。此死區(qū)技術(shù)指標(biāo)通常是在最佳條件下給出的,例如最短脈沖寬度和最佳連接器反射。ADZ 技術(shù)指標(biāo)的目的是說(shuō)明在連接器后多少距離能夠準(zhǔn)確地測(cè)量損耗,根據(jù)此定義,可與前一連接器串連一根死區(qū)長(zhǎng)度的跳接線以測(cè)量損耗。但實(shí)際上可能并不是這樣。
在圖 2 中,事件死區(qū) (EDZ) 定義為(通常為單個(gè)“良好”連接器反射事件)兩個(gè)在反射峰以下 1.5 dB 的光標(biāo)之間的距離。這代表了線性域中的半高全寬脈沖寬度。同樣,此死區(qū)技術(shù)指標(biāo)通常是在最佳條件下給出的,即最短脈沖寬度和最佳連接器反射。EDZ 技術(shù)指標(biāo)的目的是說(shuō)明在連接器后多少距離能夠準(zhǔn)確地測(cè)量長(zhǎng)度。根據(jù)此定義,可與前一連接器串連一根死區(qū)長(zhǎng)度的跳接線以測(cè)量長(zhǎng)度。通常僅當(dāng)兩個(gè)連接器均滿足設(shè)置 EDZ 的條件(即 -45 dB 反射)時(shí)才會(huì)是這種情況。任一連接器反射發(fā)生變化時(shí),定義不再有效,死區(qū)增加。
兩種類型的死區(qū)通常均在一個(gè)高質(zhì)量連接器上進(jìn)行測(cè)量。對(duì)于單模的情況,可以使用 -52 dB 反射的連接器進(jìn)行測(cè)量。在上圖中,“非飽和”表示低連接器反射,即在 OTDR 接收器中不會(huì)造成飽和和失真。反射高時(shí),死區(qū)會(huì)因 APD 固有現(xiàn)象“拖尾”而增加。
實(shí)際死區(qū)應(yīng)用
客戶對(duì) OTDR 性能的預(yù)期可能與 OTDR 技術(shù)指標(biāo)不符。技術(shù)指標(biāo)有特定的條件,一般會(huì)在腳注上說(shuō)明。深圳連訊達(dá)是專業(yè)從事福祿克儀器儀表的銷售400-688-2580。對(duì)于 OTDR,死區(qū)技術(shù)指標(biāo)應(yīng)僅限指定條件下的近端測(cè)量。死區(qū)相對(duì)測(cè)量長(zhǎng)度應(yīng)保持常數(shù)。死區(qū)是有限寬度發(fā)射脈沖的函數(shù),隨著測(cè)量長(zhǎng)度的增加而變寬(較長(zhǎng)的長(zhǎng)度測(cè)量使用寬脈沖)。除稍后將討論的少數(shù)情況外,死區(qū)均隨反射增加。提供的技術(shù)指標(biāo)供用戶比較 OTDR 性能。但是死區(qū)指標(biāo)是為一個(gè)事件定義的,而不是作為網(wǎng)絡(luò)測(cè)試。較成熟的 OTDR 不僅顯示一條曲線和事件表,它們還提供所測(cè)光纖布線的圖形“映射”。映射最初是在內(nèi)建式 OTDR 中引入的,現(xiàn)在已被許多供應(yīng)商采用。映射信息是從用于生成事件表的相同分析中得出的,但顯示為更容易使用的示意圖。測(cè)量超近距離的連接器時(shí),分析儀軟件會(huì)達(dá)到極限,特別是每個(gè)連接器有不同的反射時(shí)(即完好的連接器跟一個(gè)有劃痕的連接器)。

 

下面是一個(gè)事件死區(qū)示例。事件死區(qū)設(shè)置為 1 米。光纖網(wǎng)絡(luò)在兩個(gè)較長(zhǎng)的長(zhǎng)度中間有一根 1 米的跳接線。用戶希望 OTDR 定位并識(shí)別這個(gè) 1 米跳接線并盡量進(jìn)行損耗和反射測(cè)量。僅當(dāng)滿足技術(shù)指標(biāo)的條件時(shí),OTDR 可以測(cè)量 1 米跳接線的長(zhǎng)度;兩個(gè)反射均必須在技術(shù)指標(biāo)腳注定義的范圍內(nèi)。請(qǐng)記住事件死區(qū)只定位反射峰,所以無(wú)法進(jìn)行損耗測(cè)量。在另一示例中,衰減死區(qū)聲明為 2 米。光纖網(wǎng)絡(luò)在兩個(gè)長(zhǎng)度中間有一根 2 米的跳接線。用戶希望能夠測(cè)量跳接線的損耗。如果每個(gè)反射之后都有足夠的反向散射,如圖所示,則 OTDR 將可以進(jìn)行測(cè)量。

在圖 3 中,識(shí)別了 1.94 米長(zhǎng)度的第一個(gè)連接器及位置、損耗和反射。因?yàn)閮蓚€(gè)連接器間距小,所以第一個(gè)脈沖之后的反向散射可能會(huì)有所限制。第二個(gè)脈沖可能會(huì)融合到第一個(gè)脈沖的反向散射中。這樣,測(cè)量的損耗是從第二個(gè)脈沖的反向散射到第一個(gè)脈沖前側(cè)的反向散射末端。因此,實(shí)際測(cè)量的是兩個(gè)脈沖的損耗。

在圖 4 中,1.94 米跳接線遠(yuǎn)端的第二個(gè)脈沖無(wú)法識(shí)別,被標(biāo)記為隱藏事件。這是因?yàn)榈诙€(gè)脈沖的開(kāi)始被隱藏在第一個(gè)脈沖的反向散射中。因此無(wú)法對(duì)該事件進(jìn)行充分測(cè)量。
圖 5 顯示如果脈沖之間有足夠的距離,則可輕松測(cè)量?jī)蓚€(gè)反射處的連接器衰減。在這種情況下可以根據(jù) OTDR 技術(shù)指標(biāo)對(duì)衰減死區(qū)進(jìn)行驗(yàn)證。
另外,如果光纖網(wǎng)絡(luò)在兩根長(zhǎng)光纖中間有一根 2 米跳接線,則可能無(wú)法進(jìn)行可靠的測(cè)量,這是因?yàn)榈谝粋€(gè)連接器之后沒(méi)有足夠的反向散射(反射)進(jìn)行直線近似。圖 6 顯示了兩個(gè)緊挨著的連接器,可能正好是衰減死區(qū)技術(shù)指標(biāo)的長(zhǎng)度。熟練的 OTDR 用戶可能可以手動(dòng)測(cè)量?jī)蓚€(gè)脈沖的衰減死區(qū)。但分析軟件則可能使用從第一個(gè)脈沖開(kāi)始到第二個(gè)脈沖結(jié)束的反射散射之差測(cè)量第一個(gè)連接器(脈沖)的損耗。 

光電二極管
OTDR 設(shè)計(jì)經(jīng)常會(huì)在兩個(gè)波長(zhǎng)之間共享一個(gè)光電探測(cè)器。OTDR 中經(jīng)常使用 InGaAs 探測(cè)器在單模測(cè)試中探測(cè) 1310 nm 和 1550 nm。多模測(cè)試有兩個(gè)常見(jiàn)的選項(xiàng)。第一個(gè)是 850 nm 和 1300 nm 均使用 InGaAs 光電二極管。InGaAs 對(duì) 1300 nm 響應(yīng)良好,但在 850 nm 有較低且經(jīng)常未(由 APD 供應(yīng)商)指定的響應(yīng)。第二個(gè)選項(xiàng)是使用兩個(gè)光電二極管,一個(gè) InGaAs 用于 1300 nm 多模,一個(gè) Si(硅)用于 850 nm 多模。
Si 不僅在 850 nm 響應(yīng)良好,而且與 InGaAs 設(shè)備相比有更高的內(nèi)部增益(APD 的特性)。用于 OTDR 的光電二極管有稱為倍增因數(shù)的內(nèi)部增益。該內(nèi)部增益可以大幅提高與儀器動(dòng)態(tài)范圍相關(guān)的信噪比。例如,InGaAs APD 的倍增因數(shù)可能為 30,而 Si APD 的倍增因數(shù)可能為 70。這意味著對(duì)于給定的反向散射水平,可以使用更窄的脈沖,從而大幅提高空間分辨率。
InGaAs 和 Si 的死區(qū)與反射對(duì)比
如前文所述,死區(qū)通常隨反射的增加而增加,這在使用 InGaAs 光電二極管時(shí)尤為麻煩。而 Si 要好得多。下面兩圖的數(shù)據(jù)來(lái)自使用 Si APD 或 InGaAs APD 的兩個(gè) OTDR。InGaAs 數(shù)據(jù)雖然取自 1550 nm,但在任意波長(zhǎng)(包括 850 nm)的死區(qū)響應(yīng)類型都是一樣的。850 nm 和 1310 nm 使用了類似的脈沖寬度。

下面的數(shù)據(jù)顯示了使用 OTDR 中常用的 InGaAs 光電二極管時(shí)在 1550 nm 上死區(qū)和連接器之間的關(guān)系。圖 7 中的第一個(gè)圖形顯示了反射從典型 UPC 連接器的值 (-45 dB)? 增加到高反射連接器(如臟連接器)時(shí)的 850 nm 事件死區(qū) (EDZ) 和衰減死區(qū) (ADZ)。數(shù)據(jù)顯示 EDZ 未受反射的影響。這是因?yàn)闇y(cè)量是在非飽和峰下執(zhí)行的。如果峰變飽和(即“平頂”),則 EDZ 會(huì)增加,但這與 OTDR 的設(shè)計(jì)有關(guān)。對(duì)于 ADZ,從 2 米到 2.75 米逐漸增加,但在 -26 dB 反射處有一個(gè)偏轉(zhuǎn),且反射為 -25 dB 時(shí) ADZ 增加到 4.5 米。盡管在這個(gè)范圍上 ADZ 有增加,但仍比使用 InGaAs APD 時(shí) ADZ 的結(jié)果好得多,如圖 8 所示。

圖 8 顯示了在反射增加時(shí) InGaAs APD 的 1550 nm 死區(qū)性能。此圖形顯示了反射從典型 UPC 連接器 -51 dB? 增加到高反射連接器 -30 dB(如臟連接器)時(shí)的 EDZ 和 ADZ。EDZ 不受反射影響,但 ADZ 慢慢從 4.5 米增加到 5 米(在 15 dB 范圍),然后在 -30 dB 快速增加并達(dá)到超過(guò) 30 米 ADZ。ADZ 將隨著反射的增加繼續(xù)增加。除非為單模 OTDR 進(jìn)行了復(fù)雜的配置,否則使用 InGaAs APD 時(shí)它們都會(huì)受此現(xiàn)象的影響。
總結(jié)
與用于 OTDR 的 InGaAs APD 相比,Si APD 在 850 nm 測(cè)量多模時(shí)可提供卓越的性能。Si APD 有更好的信噪比,可以對(duì)安裝的光纖布線使用窄脈沖詢問(wèn)和分析。因連接器的高反射造成光過(guò)載時(shí),Si APD 受到的拖尾影響要小得多。進(jìn)行光纖網(wǎng)絡(luò)測(cè)試時(shí),高反射大概是 OTDR 最常見(jiàn)的問(wèn)題。數(shù)據(jù)顯示部署了 Si APD 的 OTDR 與其他類型 OTDR 相比有更大性能優(yōu)勢(shì),特別是在高分辨率應(yīng)用中。雖然高性能 OTDR 可能價(jià)格較高,但對(duì)于比較 OTDR 供應(yīng)商提供技術(shù)指標(biāo)的用戶來(lái)說(shuō),除非使用高反射進(jìn)行評(píng)估,否則無(wú)法明確看出是否使用了 Si APD。 

 

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福祿克FLUKE DTX-OTDR 與OptiFiber PRO的區(qū)別? http://www.whjsdny.com/archives/dtx-otdr-optifiber-different.html http://www.whjsdny.com/archives/dtx-otdr-optifiber-different.html#comments Fri, 15 Nov 2013 01:21:46 +0000 深圳連訊 http://www.whjsdny.com/?p=3371 許多同學(xué)經(jīng)常會(huì)問(wèn)的一個(gè)問(wèn)題就是:福祿克FLUKE DTX-OTDROptiFiber PRO的區(qū)別?

我們?cè)诮o客戶選型的時(shí)候,經(jīng)常會(huì)推薦光纖測(cè)試儀??蛻糸_(kāi)始只會(huì)說(shuō)一個(gè)問(wèn)題,我需要測(cè)試光纖,這時(shí)候,我們需要引導(dǎo)他如何回答。

具體如何引導(dǎo)呢?

1:您是要測(cè)試單模還是多模光纖?

分析:因?yàn)楦5摽司W(wǎng)絡(luò)(FLuke Networks)的產(chǎn)品或者其他品牌都會(huì)有單多模之分。

2:您是只需要測(cè)試光纖衰減,還是長(zhǎng)度和衰減,還是要測(cè)試OTDR

分析:如果只是衰減那我們只需要選擇SimpliFiber PRO系列就可以了,單模就是FTK2000,多模FTK1000,如果單多模都需要測(cè)試那可以推薦FTK1450如果長(zhǎng)度和衰減都要測(cè)試可以推薦DTX-MFM2DTX-SFM2,OTDR可以推薦DTX-OTDR模塊(注意:必須搭配DTX-1800,DTX-1200,DTX-LT使用),如果需要測(cè)試OTDR,即長(zhǎng)度,衰減,故障點(diǎn)距離,那么就是OTDR了。

經(jīng)過(guò)上述問(wèn)題,現(xiàn)在回到我們今天談?wù)摰脑掝}了。

那福祿克FLUKE的OTDR不是兩種嗎?福祿克FLUKE DTX-OTDR 與OptiFiber PRO,那他們有什么區(qū)別呢?

分析:  

1:從外觀上看,DTX-OTDR只是一個(gè)模塊,必須配合DTX-1800或者其他DTX系列儀器使用,OptiFiber PRO它本身就是一個(gè)單獨(dú)可以測(cè)試的儀器。

2:福祿克FLUKE DTX-OTDR 與OptiFiber PRO事件死區(qū)和衰減死區(qū)看區(qū)別:

1)福祿克FLUKE OptiFiber PRO的事件死區(qū)和衰減死區(qū):

事件死區(qū) 1 OFP-100-M
850 nm : 0.5 m(典型)
1300 nm : 0.7 m(典型)
OFP-100-S
1310 nm : 0.6 m(典型)
1550 nm : 0.6 m(典型
850 nm : 0.5 m(典型)OFP-100-Q
1300 nm : 0.7 m(典型)
1310 nm : 0.6 m(典型)
1550 nm : 0.6 m(典型)
衰減死區(qū) 2 OFP-100-M
850 nm : 2.2 m(典型)
1300 nm : 4.5 m(典型)
OFP-100-S
1310 nm : 3.6 m(典型)
1550 nm : 3.7 m(典型)
850 nm : 2.2 m(典型)OFP-100-Q
1300 nm : 4.5 m(典型)
1310 nm : 3.6 m(典型)
1550 nm : 3.7 m(典型)

2)福祿克FLUKE DTX-OTDR的事件死區(qū)和衰減死區(qū):

事件死區(qū)*2 850 nm :3.7m (典型), 1300 nm:3.5 m(典型) 1310 nm :3.5 m (典型) 1550 nm:3.5 m(典型)
衰減死區(qū)*3 850 nm :10 米,1300 nm:13米 1310 nm :10 米,1550 nm:12米

3:福祿克FLUKE DTX-OTDR 與OptiFiber PRO從光纖測(cè)試距離上來(lái)看區(qū)別:

1)福祿克FLUKE OptiFiber PRO最大測(cè)試距離:

最大距離范圍設(shè)置 40 km 130 km MM: 40 km(OFP-100-M)
SM: 130 km(OFP-100-S)

2)福祿克FLUKE DTX-OTDR的最大測(cè)試距離:

最大距離范圍 850 nm :6 km,1300 nm:20 km 1310 nm :20 km,1550 nm:20 km

4:

1)福祿克FLUKE OptiFiber PRO的動(dòng)態(tài)范圍

動(dòng)態(tài)范圍 850 nm : 一般為 28 dB
1300 nm : 一般為 30 dB
1310 nm : 一般為 32 dB
1550 nm : 一般為 30 dB
850 nm : 一般為 28 dB
1300 nm : 一般為 30 dB
1310 nm : 一般為 32 dB
1550 nm : 一般為 30 dB

2)福祿克FLUKE DTX-OTDR的動(dòng)態(tài)范圍:

動(dòng)態(tài)范圍 850 nm :24 dB,在 200ns 時(shí), 1300 nm:26 dB,在 1 µs 時(shí) 1310 nm :26 dB,在 10 µs 時(shí),1550 nm:24 dB,在 10 µs 時(shí)

 

總結(jié):從總體性能上OptiFiber PRO明顯優(yōu)于DTX-OTDR模塊。

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