對于通信運營商來說，網絡增量和高速化是首要課題，目前運營商主干線網主要使用100G的傳輸系統，為了滿足5G時代帶來的流量需求，業界認為有必要導入400G傳輸系統。目前，通信運營商面對高速度低功耗低時延的5G網絡建設需求，開始認識到導入400G傳輸系統的話將有必要導入新型光纖，如G654E光纖。

G654E光纖有何不同呢？以G654E光纖和G652D光纖為例做作對比如下：

 
第一：G654E光纖的制作方法和G652D有區別一般情況下，G652D光纖的纖芯部分要摻鍺，把光封閉在纖芯里面(不漏光到涂覆層)，使光進行全反射的一個構造。而G654E光纖的纖芯部分是用純石英玻璃制作的，因為是純石英材質，可以實現超低損耗。

第二：G654E的Aeff(有效面積)大于G652D通常，G652D光纖的Aeff在80um2左右，但是G654E的Aeff規格在110～130um2。因此，G654E可以稱之為與以往光纖特性不同的光纖。
那么，下面我們使用藤友光纖熔接機V9來進行G.654.E光纖和不同普通光纖熔接，看一下光纖熔接有何區別。
在進行G.654.E光纖熔接時，與一般的光纖熔接主要存在兩方面的差別：一是熔接影像上，二是熔接損耗和效果上。
觀察一下影像上的區別，以下光纖熔接的圖片都來自藤友光纖熔接機V9。
正是因為光纖的折射，還有纖芯和包層折射率的不同，造成了光纖影像明暗不同的變化。
因此，當G.652.D-G.654.E混接時，在熔接點附近出現垂直于纖芯的“黑線”;而當G654E-G654E自熔時，在熔接點附近出現垂直于纖芯的“白線”。出現以上兩種是由于G.654.E光纖包層里摻入了氟元素導致的，因此兩者可視為正常現象，不會影響熔接后的光學、機械性能，無需進行重復熔接操作。